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目录2

译者说明2

第一部分 导论2

第一章 微波半导体器件的原理和功能2

1.1 器件的分类与用途2

1.2 器件的结构7

1.3 晶体管技术在发展新型微波二极管中的作用13

第二部分 半导体物理16

第二章 薛定谔波动方程和原子的电子结构16

2.1 薛定谔波动方程16

2.2 自由粒子20

2.3 定态25

2.4 原子的电子结构和周期表33

3.1 共价键和半导体晶体结构38

第三章 半导体晶体38

3.2 晶格振动45

3.3 硅晶体51

3.4 半导体晶体内的缺陷55

第四章 半导体的电导60

4.1 粒子在一维周期性位能中的运动61

4.2 三维晶体中电子的能量71

4.3 电子和空穴；施主和受主76

4.4 迁移率和电阻率………………………………………………？4.5 非平衡载流子密度88

第五章 p-n结理论91

5.1 p-n结的能带图92

5.2 空间电荷区的电位和电场分布98

5.3 p-n结的伏-安特性101

5.4 空间电荷层的电容104

5.5 扩散电容和电荷储存105

5.6 雪崩击穿110

第六章 半导体表面状态及欧姆接触120

6.1 空间电荷区理论121

6.2 表面能态129

6.3 表面的测量130

6.4 硅-二氧化硅表面的某些性质131

6.5 表面状态对器件影响134

6.6 欧姆接触136

第三部分 微波二极管和电路140

第七章 变容二极管140

7.1 变容管晶片电学参量的定义140

7.2 优值144

7.3 变容二极管特性146

7.4 变容二极管晶片的电学参量152

7.5 变容管特性的详细计算162

7.6 电荷贮存电容和快反向二极管176

7.7 毫米波变容二极管179

8.1 曼利-罗功率关系式185

第八章 变容管的应用185

8.2 参量放大器190

8.3 参量放大器的设计方案209

8.4 谐波发生器219

8.5 上变频器247

第九章 p-i-n二极管263

9.1 典型的p-i-n二极管264

9.2 i层265

9.3 等效网络268

9.4 在反向偏压下的行为270

9.5 在正向偏压下的行为271

9.6 从一种偏压状态转向另一种偏压状态的开关作用272

9.7 二极管阻抗的计算274

9.8 p-i-n二极管的功率限制281

9.9 材料和设计对二极管特性的影响285

9.10 一种特殊的p-i-n二极管288

第十章 微波开关、限幅器和移相器292

10.1 微波二极管开关293

10.2 开关的设计原理300

10.3 固体微波限幅器308

10.4 可变衰减器316

10.5 微波移相器318

第十一章 肖脱基势垒器件332

11.1 肖脱基势垒的物理学333

11.2 肖脱基势垒变阻管的设计和性能343

11.3 肖脱基势垒变容管的设计和特性352

11.4 MOS变容二极管359

第十二章 检波二极管、混频二极管及电路362

12.1 检波与混频二极管的特性363

12.2 二极管封装366

12.3 检波器368

12.4 混频器原理373

12.5 接收机的噪声指数378

12.6 实际混频器的例子380

第十三章 隧道二极管388

13.1 隧道二极管伏-安特性389

13.2 等效电路及其特性398

13.3 隧道二极管结构403

13.4 材料和器件的关系409

第十四章 隧道二极管电路414

14.1 隧道二极管稳定性的讨论415

14.2 隧道二极管放大器的增益和带宽431

14.3 隧道二极管的噪声性能434

14.4 大信号效应436

14.5 两种隧道二极管放大器的描述438

14.6 隧道二极管振荡器441

14.7 隧道二极管变频器448

14.8 反向二极管检波器和混频器450

第十五章 雪崩渡越时间微波二极管454

15.1 小信号运用455

15.2 大信号运用472

15.3 噪声479

15.4 展望483

第十六章 体砷化镓器件487

16.1 n型砷化镓的体内性质488

16.2 小信号线性理论495

16.3 非线性的大信号理论502

16.4 样品的制备513

16.5 放大器517

16.6 振荡器519

第四部分 微波晶体管和电路530

第十七章 微波晶体管530

17.1 一种特殊的微波晶体管530

17.2 半导体晶片的设计536

17.3 最佳化器件晶片的性能549

17.4 工艺考虑553

17.5 封装设计561

17.6 性能与特性562

第十八章 4千兆赫晶体管放大器576

18.1 设计原理576

18.2 设计细节和制造技术579

第五部分 当前趋向584

第十九章 当前微波半导体器件的趋向584

19.1 性能584

19.2 寿命和可靠性592

附录594

跗录A 若干半导体、金刚石和铜的物理特性594

附录B 载流子速度分布及爱因斯坦关系595

附录C 物理常数表596