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目录3

一、我国半导体材料标准3

1．基础标准3

GB/T 8756—1988　锗晶体缺陷图谱3

GB/T 13389—1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程60

GB/T 14264—1993　半导体材料术语77

GB/T 14844—1993　半导体材料牌号表示方法97

GB/T 16595—1996 晶片通用网络规范101

GB/T 16596—1996　确定晶片坐标系规范106

YS/T 209—1994 硅材料原生缺陷图谱（原GBn 266—87）110

GB/T 2881—1991 工业硅技术条件138

2．产品标准138

GB/T 5238—1995　锗单晶141

GB/T 10118—1988 高纯镓145

GB/T 11069—1989　高纯二氧化锗147

GB/T 11070—1989　还原锗锭153

GB/T 11071—1989 区熔锗锭156

GB/T 11072—1989　锑化铟多晶、单晶及切割片161

GB/T 11093—1989　液封直拉法砷化镓单晶及切割片168

GB/T 11094—1989　水平法砷化镓单晶及切割片173

GB/T 12962—1996　硅单晶180

GB/T 12963—1996　硅多晶187

GB/T 12964—2003　硅单晶抛光片191

GB/T 12965—1996　硅单晶切割片和研磨片201

GB/T 14139—1993 硅外延片207

GB/T 15713—1995　锗单晶片213

YS/T 13—1991 高纯四氯化锗217

YS/T 28—1992　硅片包装227

YS/T 43—1992　高纯砷229

YS/T 264—1994　高纯铟（原GB 8003—87）232

YS/T 290—1994 霍尔器件和甘氏器件用砷化镓液相外延片（原GB 11095—89）237

YS/T 300—1994　锗富集物（原ZB H 31003—87）241

3．方法标准253

GB/T 1550—1997　非本征半导体材料导电类型测试方法253

GB/T 1551—1995　硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法262

GB/T 1552—1995　硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法273

GB/T 1553—1997　硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法288

GB/T 1554—1995　硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法303

GB/T 1555—1997　半导体单晶晶向测定方法313

GB/T 1557—1989　硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法319

GB/T 1558—1997　硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法323

GB/T 4058—1995　硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法329

GB/T 4059—1983　硅多晶气氛区熔磷检验方法338

GB/T 4060—1983　硅多晶真空区熔基硼检验方法342

GB/T 4061—1983　硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法345

GB/T 4298—1984　半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法347

GB/T 4326—1984　非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法365

GB/T 5252—1985　锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法376

GB/T 6616—1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法383

GB/T 6617—1995　硅片电阻率测定扩展电阻探针法388

GB/T 6618—1995　硅片厚度和总厚度变化测试方法394

GB/T 6619—1995　硅片弯曲度测试方法401

GB/T 6620—1995　硅片翘曲度非接触式测试方法406

GB/T 6621—1995　硅抛光片表面平整度测试方法411

GB/T 6624—1995　硅抛光片表面质量目测检验方法420

GB/T 8757—1988　砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法423

GB/T 8758—1988　砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法425

GB/T 8760—1988　砷化镓单晶位错密度的测量方法430

GB/T 11068—1989　砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法435

GB/T 11073—1989　硅片径向电阻率变化的测量方法440

GB/T 13387—1992　电子材料晶片参考面长度测量方法452

GB/T 13388—1992　硅片参考面结晶学取向X射线测量方法457

GB/T 14140.1—1993　硅片直径测量方法光学投影法461

GB/T 14140.2—1993　硅片直径测量方法千分尺法465

GB/T 14141—1993　硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法468

GB/T 14142—1993　硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法472

GB/T 14143—1993　300～900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法477

GB/T 14144—1993　硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法481

GB/T 14145—1993 硅外延层堆垛层错密度测定 干涉相衬显微镜法486

GB/T 14146—1993 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法489

GB/T 14847—1993　重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法493

GB/T 14849.1—1993 工业硅化学分析方法1,10-二氮杂菲分光光度法测定铁量499

GB/T 14849.2—1993 工业硅化学分析方法铬天青-S分光光度法测定铝量502

GB/T 14849.3—1993　工业硅化学分析方法钙量的测定505

GB/T 15615—1995　硅片抗弯强度测试方法511

GB/T 17169—1997　硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法518

GB/T 17170—1997　非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法526

GB/T 18032—2000　砷化镓单晶AB微缺陷检验方法531

GB/T 19199—2003　半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法536

YS/T 14—1991 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法543

YS/T 15—1991　硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法547

YS/T 23—1992　硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法552

YS/T 24—1992　外延钉缺陷的检验方法555

YS/T 25—1992　硅抛光片表面清洗方法557

YS/T 26—1992　硅片边缘轮廊检验方法559

YS/T 27—1992　晶片表面上微粒沾污测量和计数的方法562

YS/T 34.1—1992 高纯砷化学分析方法孔雀绿分光光度法测定锑量565

YS/T 34.2—1992　高纯砷化学分析方法化学光谱法测定钴、锌、银、铜、钙、铝、镍、铬、铅、镁、铁量568

YS/T 34.3—1992　高纯砷化学分析方法极谱法测定硒量573

YS/T 34.4—1992　高纯砷化学分析方法极谱法测定硫量575

YS/T 37.1—1992　高纯二氧化锗化学分析方法硫氰酸汞分光光度法测定氯量579

YS/T 37.2—1992 高纯二氧化锗化学分析方法钼蓝分光光度法测定硅量582

YS/T 37.3—1992　高纯二氧化锗化学分析方法石墨炉原子吸收光谱法测定砷量585

YS/T 37.4—1992　高纯二氧化锗化学分析方法化学光谱法测定铁、镁、铅、镍、铝、钙、铜、铟和锌量589

YS/T 38.1—1992　高纯镓化学分析方法钼蓝分光光度法测定硅量595

YS/T 38.2—1992　高纯镓化学分析方法化学光谱法测定锰、镁、铬和锌量598

YS/T 38.3—1992　高纯镓化学分析方法化学光谱法测定铅、镍、锡和铜量602

YS/T 230.1—1994　高纯铟中铝、镉、铜、镁、铅、锌量的测定 （化学光谱法）（原GB 2594.1—81）606

YS/T 230.2—1994　高纯铟中铁量的测定（化学光谱法）（原GB 2594.2—81）609

YS/T 230.3—1994　高纯铟中砷量的测定〔二乙氨基二硫代甲酸银（Ag-DDC）法〕（原GB 2594.3—81）611

YS/T 230.4—1994　高纯铟中硅量的测定（硅钼蓝吸光光度法）（原GB 2594.4—81）614

YS/T 230.5—1994　高纯铟中硫量的测定（氢碘酸、次磷酸钠还原极谱法）（原GB 2594.5—81）616

YS/T 230.6—1994　高纯铟中铊量的测定（罗丹明B吸光光度法）（原GB 2594.6—81）619

YS/T 230.7—1994 高纯铟中锡量的测定（苯芴酮-溴代十六烷基三甲胺吸光光度法）（原GB 2594.7—81）621

二、SEMI标准625

SEMI M1-0302　硅单晶抛光片规范625

SEMI M1.1—89（重订本0299）　直径2inch硅单晶抛光片规格648

SEMI M1.2—89（重订本0299） 直径3inch硅单晶抛光片规格650

SEMI M1.5—89（重订本0699） 直径100mm硅单晶抛光片规格（厚度525μm）652

SEMI M1.6—89（重订本0699） 直径100mm硅单晶抛光片规格（厚度625μm）654

SEMI M1.7—89（重订本0699）　直径125mm硅单晶抛光片规格656

SEMI M1.8-0699　直径150mm硅单晶抛光片规格658

SEMI M1.9-0699　直径200mm硅单晶抛光片规格（切口）660

SEMI M1.10-0699　直径200mm硅单晶抛光片规格（参考面）662

SEMI M1.11—90（重订本0299） 直径100mm无副参考面硅单晶抛光片规格（厚度525μm）664

SEMI M1.12—90（重订本0299） 直径125mm无副参考面硅单晶抛光片规格666

SEMI M1.13—0699　直径150mm无副参考面硅单晶抛光片规格（厚度625μm）668

SEMI M1.14—96　直径350mm和400mm硅单晶抛光片指南670

SEMI M1.15-0302　直径300mm硅单晶抛光片规格（切口）672

SEMI M2-0997　分立器件用硅外延片规范675

SEMI M3-1296　蓝宝石单晶抛光衬底规范681

SEMI M3.2—91 2inch蓝宝石衬底标准688

SEMI M3.4—91 3inch蓝宝石衬底标准689

SEMI M3.5—92 100mm蓝宝石衬底标准690

SEMI M3.6—88 3inch回收蓝宝石衬底标准691

SEMI M3.7—91 125mm蓝宝石衬底标准692

SEMI M3.8—91 150mm蓝宝石衬底标准693

SEMI M4-1296 蓝宝石衬底上硅单晶（SOS）外延片规范694

SEMI M6-1000 太阳能光电池用硅片规范699

SEMI M8-0301 硅单晶抛光试验片规范705

SEMI M9-0999 砷化镓单晶抛光片规范719

SEMI M9.1—96 电子器件用直径50.8mm砷化镓单晶圆形抛光片标准727

SEMI M9.2—96 电子器件用直径76.2mm砷化镓单晶圆形抛光片标准728

SEMI M9.3—89 光电子用直径2inch砷化镓单晶圆形抛光片标准729

SEMI M9.4—89 光电子用直径3inch砷化镓单晶圆形抛光片标准731

SEMI M9.5—96 电子器件用直径100mm砷化镓单晶圆形抛光片标准733

SEMI M9.6—95 直径125mm砷化镓单晶圆形抛光片标准734

SEMI M9.7—0200 直径150mm砷化镓单晶圆形抛光片（切口）规范735

SEMI M10-1296 鉴别砷化镓晶片上观察到的结构和特征的标准术语739

SEMI M11-0301 集成电路用硅外延片规范742

SEMI M12-0998E 晶片正面系列字母数字标志规范764

SEMI M13-0998E 硅片字母数字标志规范773

SEMI M14—89 半绝缘砷化镓单晶离子注入与激活工艺规范783

SEMI M15-0298 半绝缘砷化镓抛光片缺陷限度表784

SEMI M16-1296 多晶硅规范786

SEMI M16.1—89 块状多晶硅标准789

SEMI M17-0998 晶片通用网格规范790

SEMI M18—0302 硅片订货单格式794

SEMI M19—91 体砷化镓单晶衬底电学特性规范826

SEMI M20-0998 建立晶片坐标系的规范829

SEMI M21-0998　地址分配到笛卡尔坐标系的矩形单元规范831

SEMI M22-1296　介电绝缘（DI）晶片规范839

SEMI M23-0302　磷化铟单晶抛光片规范845

SEMI M23.1-0600　直径50mm磷化铟单晶抛光片标准854

SEMI M23.2-1000　3inch（76.2mm）磷化铟单晶圆形抛光片标准855

SEMI M23.3-0600　矩形磷化铟单晶抛光片标准856

SEMI M23.4-0999 电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规范（燕尾槽）859

SEMI M23.5-1000 电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规范（V形槽）860

SEMI M24-1101 优质硅单晶抛光片规范861

SEMI M25—95 根据聚苯乙烯乳胶球直径校准光点缺陷硅片检验系统用硅片规范879

SEMI M26—96　运输晶片用的片盒和花篮再使用指南881

SEMI M27—96　确定测试仪器的精度与公差比（P/T）的规程884

SEMI M28-0997（1000撤回） 开发中的直径300mm硅单晶抛光片规范888

SEMI M29-1296　直径300mm晶片传递盒规范889

SEMI M30-0997　用傅利叶变换红外吸收光谱测量砷化镓中代位碳原子浓度的标准方法900

SEMI M31-0999　用于300mm晶片传送和发货的正面打开的发货片盒暂定机械规范905

SEMI M32-0998　统计规范指南922

SEMI M33-0998　用全反射X射线荧光光谱（TXRF）测定硅片表面残留沾污的测试方法932

SEMI M34-0299　制定SIMOX硅片技术规范指南942

SEMI M35-0299E　开发自动检查方法测量硅片表面特征规范的指南951

SEMI M36-0699　低位错密度砷化镓晶片腐蚀坑密度（EPD）的测试方法955

SEMI M37-0699　低位错密度磷化铟晶片中腐蚀坑密度（EPD）的测试方法957

SEMI M38-1101　硅抛光回收片规范959

SEMI M39-0999　半绝缘砷化镓单晶材料的电阻率、霍尔系数和霍尔迁移率测试方法990

SEMI M40-0200　关于硅片平坦表面的表面粗糙度的测量指南994

SEMI M41-1101 功率器件／集成电路用绝缘体上硅（SOI）晶片的规范1018

SEMI M42-1000　化合物半导体外延片规范1035

SEMI M43-0301 关于编制硅片纳米形貌报告的指南1038

SEMI M44-0301 硅中间隙氧的转换因子指南1042

SEMI M45-0301 300mm晶片发货系统临时标准1044

SEMI M46-1101 用ECV剖面分布测量外延层结构中载流子浓度的测试方法1048

SEMI M47-0302 CMOS LSI电路用绝缘体上硅（SOI）晶片规范1055

SEMI M48-1101 评价无图形硅衬底上薄膜的化学机械抛光工艺的指南1065

SEMI M49-1101 用于130nm级工艺硅片几何尺寸测量设备的指南1074

SEMI M50-1101 采用覆盖法确定表面扫描检查系统的捕获率和虚假计数率的测试方法1088

SEMI T1—95 硅片背面条型代码标志规范1093

SEMI T2-0298E 带有二维矩阵代码符号的晶片标志规范1103

SEMI T3-0302 晶片盒标签规范1110

SEMI T4-0301 150mm和200mm晶片箱标志尺寸规范1123

SEMI T5—96E　砷化镓圆形晶片字母数字刻码规范1126

SEMI T7-0302　带二维矩阵代码符号的双面抛光晶片背面标志规范1134