图书介绍

基于SRAM的FPGA容错技术【2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载】

（巴西）卡斯腾斯密得，卡罗，赖斯著著
出版社：北京：中国宇航出版社
ISBN：9787802186187
出版时间：2009
标注页数：188页
文件大小：12MB
文件页数：205页
主题词：现场可编程门阵列－系统设计

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图书目录

第1章引言1

第2章集成电路中的辐射效应8

2.1辐射环境概述8

2.2集成电路中的辐射效应12

2.2.1 SEU的分类15

2.3基于SRAM的FPGA的特有影响16

第3章单粒子翻转（SEU）减缓技术28

3.1基于设计的技术30

3.1.1检测技术31

3.1.2减缓技术32

3.2 ASIC中SEU减缓技术实例52

3.3 FPGA中SEU减缓技术实例59

3.3.1基于反熔丝的FPGA60

3.3.2基于SRAM的FPGA63

第4章结构层SEU减缓技术70

第5章高层SEU减缓技术80

5.1针对FPGA的三模冗余技术80

5.2刷新85

第6章三模冗余（TMR）的健壮性87

6.1测试设计方法91

6.2 FPGA位流中的故障注入92

6.3设计布局中翻转的定位95

6.3.1矩阵中位列的位置95

6.3.2矩阵中位行的位置96

6.3.3 CLB中位的位置96

6.3.4位分类97

6.4故障注入结果101

6.5“金”片（“Golden” Chip）方法105

第7章TMR微控制器的设计和测试107

7.1面积和性能结果110

7.2 TMR 8051微控制器辐射的地面测试结果112

第8章减少TMR开销：第一部分118

8.1结合时间冗余的双备份比较119

8.2 VHDL描述中的故障注入127

8.3面积和性能132

第9章减少TMR开销：第二部分137

9.1算术类电路的DWC—CED技术139

9.1.1使用基于硬件冗余的CED技术142

9.1.2使用基于时间冗余的CED技术144

9.1.3选择最合适的CED模块146

9.1.4故障覆盖率结果148

9.1.5面积和性能结果152

9.2非算术电路中的DWC—CED设计技术162

第10章总结与展望166

缩写词中英文对照170

参考文献174