超大规模集成电路分析与设计【2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载】

超大规模集成电路分析与设计PDF格式电子书版下载

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

第一章 MOS器件按比例缩小及其影响1

1.1 CMOS器件和电路的基本知识2

1.1.1 MOS器件的结构和原理2

1.1.2 CMOS逻辑电路基础9

1.2 按比例缩小理论23

1.2.1 CE规则按比例缩小理论23

1.2.2 CV规则按比例缩小理论27

1.2.3 优化的按比例缩小规则28

1.2.4 CMOS按比例缩小的趋势30

1.3 高场效应对小尺寸器件性能的影响33

1.3.1 栅氧化层减薄的限制34

1.3.2 热电子效应43

1.3.3 迁移率退化和速度饱和56

1.3.4 源-漏穿通和击穿66

1.4 器件参数涨落的影响76

1.4.1 杂质随机分布的影响76

1.4.2 栅线条边沿粗糙的影响87

1.4.3 其他工艺因素的影响以及各种因素的比较96

1.5 寄生效应的影响99

1.5.1 MOS晶体管中的寄生效应99

1.5.2 互连线的寄生效应111

参考文献136

第二章 VLSI存储器144

2.1 VLSI存储器概述144

2.1.1 存储器的分类144

2.1.2 存储器的发展现状与趋势145

2.1.3 存储器的总体结构146

2.2 DRAM存储器设计148

2.2.1 DRAM单元设计148

2.2.2 DRAM单元结构的发展150

2.2.3 DRAM单元阵列设计161

2.2.4 DRAM的刷新178

2.3 SRAM存储器设计181

2.3.1 SRAM单元设计182

2.3.2 SRAM单元的稳定性188

2.3.3 改进的SRAM单元192

2.3.4 SRAM阵列设计196

2.4 不挥发性存储器199

2.4.1 掩膜式ROM200

2.4.2 多晶硅电阻编程ROM203

2.4.3 EPROM/E2PROM204

2.4.4 快闪存储器（Flash Memory）206

2.4.5 电荷俘获存储器（CTM）214

2.5 新型存储器217

2.5.1 铁电随机存储器（FeRAM）217

2.5.2 磁阻随机存储器（MRAM）219

2.5.3 相变随机存储器（PRAM）224

2.5.4 阻变随机存储器（RRAM）227

2.5.5 新型存储器小结232

2.6 存储器外围电路设计233

2.6.1 译码器233

2.6.2 地址缓冲器236

2.6.3 输出缓冲器239

2.6.4 时钟发生器240

2.6.5 参考电压242

2.6.6 外围电路的减小亚阈值电流技术244

参考文献246

第三章 运算器255

3.1 加法器255

3.1.1 全加器256

3.1.2 多位加法器结构265

3.1.3 加法器电路结构268

3.1.4 基于加法器的算术逻辑单元276

3.2 乘法器284

3.2.1 乘法算法284

3.2.2 乘法器结构286

3.2.3 波茨算法291

3.3 移位器294

3.3.1 简单移位器294

3.3.2 对数移位器295

3.3.3 筒式移位器295

3.4 运算器的其他部分296

3.4.1 寄存器堆296

3.4.2 堆栈298

3.4.3 总线300

参考文献301

第四章 控制器303

4.1 有限状态时序机303

4.2 存储程序控制304

4.3 控制器的电路实现307

4.3.1 PROM的逻辑特点308

4.3.2 可编程逻辑阵列（PLA）310

4.3.3 用PLA实现时序逻辑311

4.3.4 PLA电路的优化312

4.4 微程序控制321

4.4.1 微程序控制简介321

4.4.2 微程序控制原理322

4.4.3 微程序控制器的设计324

4.4.4 微程序控制器的设计实例326

4.5 控制器的低功耗优化技术332

参考文献333

第五章 集成电路设计方法334

5.1 集成电路设计方法概述334

5.2 全定制设计方法338

5.2.1 全定制设计流程339

5.2.2 全定制的版图设计341

5.2.3 版图设计规则344

5.3 半定制设计方法349

5.3.1 半定制设计流程349

5.3.2 基于门阵列的设计方法351

5.3.3 基于标准单元的设计方法357

5.3.4 基于PLD的设计方法373

5.3.5 基于IP核的SoC设计方法380

参考文献387

第六章 SOI、BiCMOS和纳米CMOS技术388

6.1 SOI技术388

6.1.1 SOI CMOS的工艺与器件特性389

6.1.2 SOI CMOS电路394

6.2 BiCMOS技术407

6.2.1 BiCMOS基本结构和工艺408

6.2.2 基本的BiCMOS逻辑门409

6.2.3 BiCMOS在VLSI中的应用418

6.3 新型纳米CMOS器件技术423

6.3.1 纳米CMOS器件与电路的挑战424

6.3.2 纳米CMOS器件的新技术427

6.3.3 纳米CMOS新器件与后摩尔时代的展望432

参考文献436

附录1 集成电路发展历史的大事记440

参考文献441

附录2 主要物理常数445

附录3 Si、SiO2、Si3N4在300k的主要特牲445

附录4 常用单位词头446

符号表447