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目录1

前言1

Ⅰ．总论1

1．GaAs和InP材料的研究1

Ⅱ．制备——合成、提纯及晶体生长45

2．InP和GaAs的制备和电学性质45

3．砷化镓单晶的制备及其性质52

4．砷化镓浮区提纯设备59

5．InAs单晶和GaAs单晶的制备68

6．生长砷化镓单晶的设备71

7．含挥发组元材料的注射筒式单晶炉73

8．砷化镓拉晶炉75

9．砷化镓晶体生长中沾染的原因84

10．论高纯度砷化镓的制备97

11．合成砷化镓用的AIN容器101

12．GaAs晶体在〈111〉极性方向的生长109

13．用化学方法制备InAs,InP,GaAs及GaP111

14．汽相生长的砷化镓晶体114

15．从汽相中生长GaP和GaAs晶体的方法118

16．在Ge单晶上外延汽相生长GaAs125

17．外延砷化镓的生长速率127

Ⅲ．腐蚀和晶体缺陷129

18．砷化镓的腐蚀试验129

19．砷化镓中的腐蚀坑137

20．用腐蚀法显示砷化镓（111）面上的位错141

21．一种适用于Ⅲ-Ⅴ族半导体的抛光腐蚀剂143

22．砷化镓单晶的极性145

Ⅳ．化学性质和物理性质149

23．In-As,Ga-As和In-P体系的P-T-x相图149

24．金属间化合物的氧化性—Ⅲ∶Ⅲ-Ⅴ族化合物的室温氧化性161

25．GaAs的热氧化性168

26．砷化镓和砷化铟在熔化区和液态时某些物理性质的研究170

27．砷化镓的某些性质176

28．砷化镓中的价带内跃迁180

29．n型砷化镓中的红外吸收和电子有效质量183

30．GaAs的光吸收限及其对电场的依赖关系191

31．简并的p型GaAs的吸收限198

32．砷化镓的晶格吸收204

33．砷化镓的一些电学物理性质212

34．GaAs低温电学性质221

35．p型和n型砷化镓晶体中的杂带234

36．n型砷化镓杂带中的导电241

37．n型砷化镓的电学性质244

38．强简井砷化镓的载流子散射259

39．砷化镓中的能斯脱-厄廷好森效应267

40．砷化镓中的光谱能量和载流子散射271

41．n型GaAs中的能斯脱效应283

42．GaAs的高温霍耳系数287

43．GaAs的能带结构和电子输运290

44．砷化镓中的能带317

45．砷化镓半绝缘体327

46．半绝缘GaAs的性质331

47．高阻GaAs的制备和性质339

48．高阻晶体的光电子分析（a）GaAs（b）Sb2S3350

49．扩散铜补偿高阻砷化镓的性质366

50．半绝缘砷化镓中的光电导性394

51．半绝缘砷化镓中的Dember效应和光电磁效应402

52．GaAs中的少数载流子寿命406

53．GaAs中的载流子寿命414

54．GaAs中的直接复合和半导体三极管设计中的一些推论419

55．由砷化镓发射出的复合辐射428

56．GaAs中的复合辐射431

57．锌在砷化镓中的扩散436

Ⅴ．热处理、杂质扩散及其行为436

58．锌和镉在砷化镓中的扩散446

59．铜在砷化镓中的扩散，溶解度和电学行为454

60．用铜扩散制备p型GaAs的性质462

61．砷化镓中铜的沉积471

62．砷化镓的热处理473

63．n型GaAs中的热转变479

64．用辐射能对n型GaAs进行热处理481

65．n型GaAs的辐射效应及退火485

66．p型GaAs中的杂质能级和迁移率489

67．p型GaAs中杂质的测量493

68．砷化镓中镁电离能的测量511

69．砷化镓中Li的电学性质515

70．GaAs中锰的行为519

71．硅在砷化镓中的影响522

72．砷化镓中锗的行为525

73．砷化镓中硒的行为528

74．砷化镓中杂质的分配系数536

附录　砷化镓的主要性质和腐蚀剂547

补充参考文献554