图书介绍

硅-二氧化硅界面物理【2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载】

郭维廉编著
出版社：北京：国防工业出版社
ISBN：7118004596
出版时间：1989
标注页数：202页
文件大小：10MB
文件页数：210页
主题词：

PDF下载

点此进入-本书在线PDF格式电子书下载【推荐-云解压-方便快捷】直接下载PDF格式图书。移动端-PC端通用
种子下载[BT下载速度快]温馨提示：（请使用BT下载软件FDM进行下载）软件下载地址页直链下载[便捷但速度慢] [在线试读本书] [在线获取解压码]

点击复制MD5值：4e1b7dcff1e3abf1a13b491d110c0f74

下载说明

硅-二氧化硅界面物理PDF格式电子书版下载

下载的文件为RAR压缩包。需要使用解压软件进行解压得到PDF格式图书。

点击复制85GB完整离线版磁力链接到迅雷FDM等BT下载工具进行下载详情点击-查看共享计划

建议使用BT下载工具Free Download Manager进行下载,简称FDM(免费,没有广告,支持多平台）。本站资源全部打包为BT种子。所以需要使用专业的BT下载软件进行下载。如BitComet qBittorrent uTorrent等BT下载工具。迅雷目前由于本站不是热门资源。不推荐使用！后期资源热门了。安装了迅雷也可以迅雷进行下载！

（文件页数要大于标注页数，上中下等多册电子书除外）

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

图书目录

第一章半导体表面物理基础1

1.1 表面空间电荷层及其电场、电荷密度和电容1

1.2 表面空间电荷层的六种基本状态9

1.3 表面过剩载流子浓度、表面电导、沟道电导20

1.4 表面散射和表面迁移率25

1.5 表面量子化效应和反型层厚度30

参考资料36

第二章 MOS结构的C－V（电容－电压）特性37

2.1 用近似方法分析理想MOS结构的C－V特性37

2.2 实际MOS结构的C－V特性45

2.3 不均匀掺杂树底MOS结构的C－V特性57

2.4 禁带中深能级对MOS结构C－V特性的影响65

参考资料70

第三章硅-二氧化硅系统的电荷和陷阱71

3.1 二氧化硅层中的可动离子电荷71

3.2 二氧化硅层中的固定氧化物电荷78

3.3 硅-二氧化硅界面的界面陷阱电荷82

3.4 氧化物陷阱电荷92

3.5 由杂质引起的界面陷阱和界面附加电荷99

参考资料107

第四章热载流子向二氧化硅中的注入和电离辐射效应109

4.1 热载流子向二氧化硅中的注入和注入方法109

4.2 MOS电容器的雪崩注入113

4.3 热载流子注入的物理模型117

4.4 电离辐射在二氧化硅中感生的正电荷122

4.5 电离辐射感生氧化物正电荷物理模型126

4.6 电离辐射感生的界面陷阱128

4.7 硬化技术130

参考资料132

第五章硅-二氧化硅界面性质的电学测量133

5.1 用MOS结构高频C－V特性测量界面电荷133

5.2 用MOS结构C－V特性确走导电类型、测量硅衬底杂质浓度与杂质浓度分布144

5.3 用MOS结构的脉冲C－t特性测量硅中少子寿命150

5.4 用离子电流法测量二氧化硅层中的可动离子密度156

5.5 用准静态C－V特性测量界面陷阱密度159

5.6 用交流电导法测量界面陷阱密度166

5.7 用光电流－电压法测量二氧化硅中的电荷分布174

5.8 用电荷－电容法测量界面的多种基本参数181

参考资料190

附录192

附录一式（5－90）的推导192

附录二符号表193

附录三物理常数表199

附录四硅、二氧化硅的重要性质（27℃）199

附录五习题200