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第0章　绪论1

0.1　何谓集成电路工艺1

0.2　集成电路制造技术发展历程3

0.3　集成电路制造技术特点5

0.4　本书内容结构7

第1单元　硅衬底10

第1章　单晶硅特性10

1.1　硅晶体的结构特点10

1.2　硅晶体缺陷15

1.3　硅晶体中的杂质18

本章小结23

第2章　硅片的制备24

2.1　多晶硅的制备24

2.2　单晶硅生长25

2.3　切制硅片33

本章小结36

第3章　外延37

3.1　概述37

3.2　气相外延40

3.3　分子束外延53

3.4　其他外延方法57

3.5　外延缺陷与外延层检测60

本章小结63

单元习题64

第2单元　氧化与掺杂66

第4章　热氧化66

4.1　二氧化硅薄膜概述66

4.2　硅的热氧化71

4.3　初始氧化阶段及薄氧化层制备85

4.4　热氧化过程中杂质的再分布86

4.5　氧化层的质量及检测90

4.6　其他氧化方法94

本章小结97

第5章　扩散98

5.1　扩散机构98

5.2　晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程101

5.3　杂质的扩散掺杂105

5.4　热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素110

5.5　扩散工艺条件与方法116

5.6　扩散工艺质量与检测121

5.7　扩散工艺的发展125

本章小结126

第6章　离子注入127

6.1　概述127

6.2　离子注入原理128

6.3　注入离子在靶中的分布134

6.4　注入损伤142

6.5　退火146

6.6　离子注入设备与工艺153

6.7　离子注入的其他应用156

6.8　离子注入与热扩散比较及掺杂新技术160

本章小结163

单元习题164

第3单元　薄膜制备166

第7章　化学气相淀积166

7.1　CVD概述166

7.2　CVD工艺原理167

7.3　CVD工艺方法173

7.4　二氧化硅薄膜的淀积183

7.5　氮化硅薄膜淀积189

7.6　多晶硅薄膜的淀积193

7.7　CVD金属及金属化合物薄膜197

本章小结201

第8章　物理气相淀积202

8.1 PVD概述202

8.2　真空系统及真空的获得203

8.3　真空蒸镀207

8.4　溅射215

8.5　PVD金属及化合物薄膜225

本章小结230

单元习题231

第4单元　光刻234

第9章　光刻工艺234

9.1　概述234

9.2　基本光刻工艺流程235

9.3　光刻技术中的常见问题242

本章小结243

第10章　光刻技术244

10.1　光刻掩膜版的制造244

10.2　光刻胶254

10.3　光学分辨率增强技术258

10.4　紫外光曝光技术267

10.5　其他曝光技术271

10.6　光刻设备279

本章小结284

第11章　刻蚀技术285

11.1　概述285

11.2　湿法刻蚀286

11.3　干法刻蚀290

11.4　刻蚀技术新进展302

本章小结303

单元习题304

第5单元　工艺集成与封装测试306

第12章　工艺集成306

12.1　金属化与多层互连306

12.2　CMOS集成电路工艺313

12.3　双极型集成电路工艺322

本章小结327

第13章　工艺监控328

13.1　概述328

13.2　实时监控329

13.3　工艺检测片329

13.4　集成结构测试图形335

本章小结342

第14章　封装与测试343

14.1　芯片封装技术343

14.2　集成电路测试技术354

本章小结366

单元习题367

附录A　微电子器件制造生产实习368

A.1　硅片电阻率测量368

A.2　硅片清洗371

A.3　一次氧化373

A.4　氧化层厚度测量374

A.5　光刻腐蚀基区375

A.6　硼扩散377

A.7　pn结结深测量379

A.8　光刻腐蚀发射区380

A.9　磷扩散381

A.10　光刻引线孔382

A.11 真空镀铝382

A.12　反刻铝383

A.13　合金化384

A.14 中测385

A.15　划片385

A.16　上架烧结386

A.17　压焊386

A.18　封帽387

A.19 晶体管电学特性测量387

附录B SUPREM模拟391

B.1 SUPREM软件简介391

B.2　氧化工艺392

B.3　扩散工艺392

B.4　离子注入393

参考文献394