图书介绍

数字CMOS VLSI分析与设计基础【2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载】

数字CMOS VLSI分析与设计基础
  • 甘学温编著 著
  • 出版社： 北京：北京大学出版社
  • ISBN：7301040350
  • 出版时间：1999
  • 标注页数：321页
  • 文件大小：15MB
  • 文件页数：329页
  • 主题词：

PDF下载


点此进入-本书在线PDF格式电子书下载【推荐-云解压-方便快捷】直接下载PDF格式图书。移动端-PC端通用
种子下载[BT下载速度快]温馨提示：（请使用BT下载软件FDM进行下载）软件下载地址页直链下载[便捷但速度慢]  [在线试读本书]   [在线获取解压码]
点击复制MD5值：3b5e8d62f65644be22fa9956c612ec8b

下载说明

数字CMOS VLSI分析与设计基础PDF格式电子书版下载

下载的文件为RAR压缩包。需要使用解压软件进行解压得到PDF格式图书。

点击复制85GB完整离线版磁力链接到迅雷FDM等BT下载工具进行下载  详情点击-查看共享计划
建议使用BT下载工具Free Download Manager进行下载,简称FDM(免费,没有广告,支持多平台）。本站资源全部打包为BT种子。所以需要使用专业的BT下载软件进行下载。如BitComet qBittorrent uTorrent等BT下载工具。迅雷目前由于本站不是热门资源。不推荐使用！后期资源热门了。安装了迅雷也可以迅雷进行下载！

（文件页数 要大于 标注页数，上中下等多册电子书除外）

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

图书目录

第一章 MOS晶体管工作原理1

1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理1

1.2 MOS晶体管的阈值电压分析5

1.3 MOS晶体管的电流方程12

1.4 MOS晶体管的瞬态特性18

第二章 MOS器件按比例缩小30

2.1 按比例缩小理论30

2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响38

2.3 不能按比例缩小的参数的影响52

2.4 VLSI发展的实际限制60

第三章 CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应63

3.1 集成电路制作中的几个基本工艺步骤63

3.2 CMOS IC工艺流程65

3.3 CMOS IC中的寄生效应68

4.1 CMOS反相器的直流特性74

第四章 CMOS反相器和CMOS传输门74

4.2 CMOS反相器的瞬态特性79

4.3 CMOS反相器的功耗86

4.4 CMOS反相器的设计88

4.5 CMOS和NMOS电路性能比较88

4.6 CMOS传输门92

第五章 CMOS静态逻辑电路设计98

5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点98

5.2 CMOS与非门的分析99

5.3 CMOS或非门的分析104

5.4 CMOS与非门和或非门的设计106

5.5 组合逻辑电路的设计110

5.6 类NMOS电路118

5.7 传输门逻辑电路121

5.8 差分CMOS逻辑系列128

6.1 动态逻辑电路的特点140

6.2 预充、求值的动态CMOS电路140

第六章 动态和时序逻辑电路设计140

6.3 多米诺(Domino)CMOS电路147

6.4 时钟CMOS(C2MOS)电路153

6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路154

6.6 CMOS触发器159

6.7 时序逻辑电路167

第七章 输入、输出缓冲器177

7.1 输入缓冲器177

7.2 输入保护电路179

7.3 输出缓冲器181

7.4 脱片输出驱动级的设计184

7.5 三态输出和双向缓冲器186

第八章 MOS存储器190

8.1 DRAM190

8.2 SRAM221

8.3 ROM和PLD234

9.1 VLSI的设计方法254

第九章 MOS IC的版图设计254

9.2 门阵列和标准单元设计方法258

9.3 版图设计266

第十章 SOICMOS简介272

10.1 SOI CMOS工艺272

10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性273

10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应280

第十一章 BiCMOS电路289

11.1 MOS和双极型器件性能比较289

11.2 BiCMOS工艺和器件结构291

11.3 BiCMOS逻辑门的设计292

11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较299

11.5 BiCMOS电路实例302

主要符号表310

主要参考文献313

附录321

热门推荐