图书介绍

超大规模集成电路工艺技术【2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载】

（日）西泽润一译；秦勋，韩伟清译著
出版社：北京：国防工业出版社
ISBN：15034·2420
出版时间：1983
标注页数：327页
文件大小：39MB
文件页数：335页
主题词：

PDF下载

点此进入-本书在线PDF格式电子书下载【推荐-云解压-方便快捷】直接下载PDF格式图书。移动端-PC端通用
种子下载[BT下载速度快]温馨提示：（请使用BT下载软件FDM进行下载）软件下载地址页直链下载[便捷但速度慢] [在线试读本书] [在线获取解压码]

点击复制MD5值：fd7c92db0720a0fc798205ce63ebaa3e

下载说明

超大规模集成电路工艺技术PDF格式电子书版下载

下载的文件为RAR压缩包。需要使用解压软件进行解压得到PDF格式图书。

点击复制85GB完整离线版磁力链接到迅雷FDM等BT下载工具进行下载详情点击-查看共享计划

建议使用BT下载工具Free Download Manager进行下载,简称FDM(免费,没有广告,支持多平台）。本站资源全部打包为BT种子。所以需要使用专业的BT下载软件进行下载。如BitComet qBittorrent uTorrent等BT下载工具。迅雷目前由于本站不是热门资源。不推荐使用！后期资源热门了。安装了迅雷也可以迅雷进行下载！

（文件页数要大于标注页数，上中下等多册电子书除外）

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

图书目录

第一章高性能、高集成度集成电1

路的发展动向1

1.1 前言1

1.2 MOS IC3

目录7

主要英文缩写词7

1.3 双极型IC11

1.4 其它型式IC和新型IC12

1.5 将来的方向13

参考文献14

第二章高密度双极LSI的外延16

生长工艺16

2.1 序论16

2.2 外延生长工艺的原料和设备等问题17

2.3 外延层的评价法18

2.4 外延层的厚度和电阻率的控24

制及其均匀性24

2.5 自掺杂32

2.6 图形的塌边和错位39

2.7 外延层中的晶体缺陷41

参考文献44

2.8 结束语44

第三章离子注入技术48

3.1 前言48

3.2 低密度离子注入49

3.3 高密度离子注入64

3.4 在LSI上的应用78

3.5 结束语82

参考文献84

第四章高精度扩散技术88

4.1 前言88

4.2 扩散技术的现状89

4.3 扩散的基础95

4.4 扩散的异常性99

4.5 工艺模拟115

4.6 结束语116

参考文献117

第五章微细元件的栅氧化膜120

5.1 微细化引起的变化120

5.2 微细化带来的问题121

5.3 Si-SiO2界面存在的问题165

5.4 多晶硅上氧化膜的性质174

5.5 SiO2和Si-SiO2界面特性的最新评价方法179

参考文献182

5.6 结束语182

第六章硅上的金属薄膜188

6.1 前言188

6.2 问题的提出和研究方法188

6.3 硅表面的金属吸附层结构191

6.4 单晶硅表面上的金属薄膜193

6.5 结束语206

参考文献206

第七章半导体表面的稳定化209

7.1 序言209

7.2 等离子体氮化膜钝化211

7.3 表面净化216

7.4 高压氧化法220

7.5 结束语225

参考文献225

第八章用带电粒子束进行测试的226

工艺技术226

8.1 用带电粒子进行测试的方法226

8.2 离子微分析的原理227

8.3 设备和测量234

8.4 应用242

参考文献250

8.5 结束语250

第九章工艺诱生缺陷253

9.1 前言253

9.2 工艺诱生缺陷的种类253

9.3 热应力位错255

9.4 氧化和热处理引起的堆垛层错260

9.5 缺陷对器件特性的影响268

9.6 吸除工艺270

9.7 结束语272

参考文献272

10.2 工艺设计276

10.1 前言276

第十章工艺最佳化276

10.3 工艺改进285

10.4 结束语286

参考文献286

《特约稿件》薄膜外延生长287

1．前言287

3．核生长和逐层生长的基本特征291

2．超高真空电子显微镜“现场”观察法296

4．逐层生长的几个问题299

5．有关核生长的几个问题308

参考文献325