图书介绍
集成电子学 上 模拟、数字电路和系统【2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载】
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- (美)J.密尔曼 C.C.霍尔凯斯 著
- 出版社: 北京:人民邮电出版社
- ISBN:
- 出版时间:1981
- 标注页数:460页
- 文件大小:26MB
- 文件页数:474页
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图书目录
目录1
第一章 固体中的能带1
1-1带电粒子1
1-2场强、电位、能量2
1-3能量的电子伏特(eV)单位5
1-4原子的性质6
1-5原子的能级8
1-6元素的电子结构12
1-7晶体的能带理论15
1-8绝缘体、半导体和金属17
复习题19
参考书刊20
习题20
第二章 半导体中的迁移现象25
2-1迁移率和导电率25
2-2本征半导体中的电子和空穴28
2-3施主杂质和受主杂质31
2-4半导体中的电荷密度33
2-5锗和硅的电性质34
2-6霍耳效应37
2-7导电率的调制39
2-8电荷的生成和复合42
2-9扩散45
2-10连续性方程47
2-11注入的少数载流子48
2-12递变掺杂的半导体内的电位变化51
2-13小结54
复习题55
参考书刊56
习题57
3-1开路的pn结60
第三章 结型二极管的特性60
3-2作为整流器的pn结63
3-3 pn结二极管的各个电流分量66
3-4伏安特性曲线69
3-5伏安特性与温度的关系73
3-6二极管的电阻74
3-7空间电荷层电容(或过渡层电容)CT75
3-8二极管的电荷控制描述式80
3-9扩散电容82
3-10结型二极管的开关时间84
3-11击穿二极管87
3-12隧道二极管90
3-13半导体光电二极管93
3-14光伏特效应95
3-15发光二极管97
复习题98
参考书刊100
习题101
第四章 二极管电路107
4-1作为电路元件的二极管107
4-2负载线的概念109
4-3二极管的分段线性化模型110
4-4削波(限幅)电路114
4-5两个不同电平处的削波作用117
4-6比较器120
4-7取样门121
4-8整流器124
4-9其它的全波整流电路130
4-10电容滤波器131
4-11其它的二极管电路136
复习题138
习题140
参考书刊140
第五章 晶体管的特性曲线149
5-1结型晶体管149
5-2晶体管的各个电流分量152
5-3作为放大器的晶体管155
5-4晶体管的构造156
5-5共基极电路158
5-6共发射极电路163
5-7共发射极的截止区167
5-8共发射极的饱和区169
5-9晶体管结电压的典型数值172
5-10共发射极电流增益177
5-11共集电极电路178
5-12晶体管特性曲线的解析表示式179
5-13最高额定电压183
5-14光电晶体管186
复习题187
参考书刊189
习题190
第六章 数字电路198
6-1数字(二进制)系统的运用198
6-2“或”门201
6-3“与”门204
6-4“非”电路或“反相器”电路206
6-5晶体管的开关时间210
6-6“禁止”(选通)运算213
6-7异或电路214
6-8狄·莫根定律216
6-9“与非”及“或非”二极管——晶体管逻辑(DTL)门219
6-10改进型(集成电路型)DTL门224
6-11高阈逻辑(HTL)门230
6-12晶体管-晶体管逻辑(TTL)门231
6-13输出级233
6-14电阻-晶体管逻辑(RTL)和直接耦合晶体管逻辑(DGTL)236
6-15各种逻辑族的比较240
复习题242
参考书刊244
习题244
第七章 集成电路的制造和特性257
7-1集成电路的工艺257
7-2基本的单片集成电路258
7-3外延生长263
7-4掩模和刻蚀264
7-5杂质的扩散265
7-6单片电路中的晶体管270
7-7单片二极管276
7-8集成电阻278
7-9集成电容和电感281
7-10集成电路的布局283
7-11其它的隔离方法287
7-12大规模集成(LSI)和中规模集成(MSI)290
7-13金属-半导体接触291
复习题293
参考书刊295
习题296
第八章 晶体管的低频运用301
8-1共发射极接法的图解分析301
8-2二端口器件及h参数模型305
8-3晶体管的h参数模型307
8-4h参数309
8-5晶体管三种接法的h参数变换公式312
8-6用h参数分析晶体管放大电路314
8-7戴维宁定理和诺顿定理及其推论319
8-8射极跟随器321
8-9晶体管放大器三种接法的比较322
8-10晶体管电路的线性分析325
8-11密勒定理及其对偶定理325
8-12晶体管级联放大器329
8-13简化的共发射极h参数模型334
8-14共集电极接法的简化计算336
8-15有发射极电阻的共发射极放大器340
8-16高输入电阻的晶体管电路345
复习题351
参考书刊353
习题354
第九章 晶体管的偏置和热稳定性368
9-1工作点368
9-2偏置的稳定性371
9-3自偏置或发射极偏置373
9-4对Ico、VBE和β变化采取的稳定措施376
9-5关于集电极电流稳定的一般说明382
9-6偏置的补偿388
9-7线性集成电路的偏置技术390
9-8热敏电阻型和感温电阻型补偿392
9-9热失控393
9-10热稳定395
复习题398
参考书刊399
习题399
第十章 场效应晶体管405
10-1结型场效应晶体管406
10-2夹断电压VP410
10-3结型场效应晶体管的伏安特性411
10-4场效应晶体管的小信号模型414
10-5金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)418
10-6MOSFET数字电路425
10-7低频共源和共漏放大器430
10-8场效应晶体管的偏置433
10-9场效应晶体管作为压变电阻(VVR)438
10-10高频共源放大器440
10-11高频共漏极放大器444
复习题445
参考书刊446
习题447
附录A458
附录B459
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