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第一章 一般化学原理和技术1

一、热解反应2

二、化学合成反应5

三、化学输运反应7

四、技术13

1．开管气流法13

2．封管法17

3．近间距法19

4．热丝法20

五、源物质21

1．气态源21

2．液态源22

3．固态源或低蒸气压液态源23

第二章 气态物种的输运25

一、气体的一些性质25

1．气态方程25

2．输运性质26

二、开管气流系统中的质量输运31

1．水平反应管中的气流状态31

2．气态组分向生长表面的转移35

三、封管系统中的质量输运39

1．系统总压和输运机制40

2．反应速率42

3．输运速率的计算43

1．热力学分析的前提和步骤49

第三章 化学气相淀积系统的热力学49

一、一般考虑49

2．热力学资料54

3．固体的活度55

二、开管气流系统56

三、封管系统64

四、实验研究技术67

第四章 淀积过程动力学72

一、化学气相淀积过程动力学概述72

二、淀积速率的实验研究75

三、实验参量对过程控制机制的作用78

1．淀积温度78

2．气体流速83

3．结晶学取向85

4．衬底的几何取向87

5．反应剂分压87

6．表面积88

四、气－固反应动力学和生长机理88

1．动力学分析的一般考虑89

2．表面气－固反应动力学模型90

五、实际体系举例98

1．GaAs的外延生长98

2．GaN的淀积102

1．固体的表面形貌107

一、固体表面的结构状况[93]107

第五章 表面过程机理107

2．表面晶体结构109

3．气体分子在表面上的吸附112

二、成核及其控制114

1．成核现象114

2．气相过饱和度和均相成核116

3．异相成核及其影响因素120

4．成核控制的实验方法123

三、表面过程机理127

1．最大凝聚或气化速率127

2．表面迁徙128

3．晶体生长模型129

4．气－液－固（VLS）生长机制135

第六章 影响淀积层质量的因素140

一、淀积参数对淀积层质量的影响140

1．反应混合物的供应140

2．淀积温度143

3．衬底材料146

4．系统内总压和气体总流速148

5．反应系统装置的因素149

6．源材料的纯度150

二、表面形貌和生长动力学150

三、衬底材料和外延层的结构完善性157

1．外延关系157

2．线位错159

3．取向缺陷162

4．双晶和堆垛缺陷162

5．点缺陷163

6．结面状况163

7．弯曲和纹裂164

四、化学气相淀积中的掺杂行为164

1．概述164

2．掺杂过程的热力学166

3．掺杂生长的动力学和机理173

第七章 化学气相淀积和新材料、新技术178

一、化学气相淀积和无机新材料178

1．物质的制备和纯化178

2．制备无机新晶体181

3．单晶薄膜的外延生长189

4．晶须的制备191

5．多晶材料膜194

6．玻璃态或无定形材料202

二、化学气相淀积和新技术202

1．微电子学工艺203

2．半导体光电技术203

3．太阳能利用207

4．光纤通讯[217]208

5．超电导技术212

6．保护涂层213

参考文献217