图书介绍

集成电路芯片制造【2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载】

杨发顺编著著
出版社：北京：清华大学出版社
ISBN：9787302495529
出版时间：2018
标注页数：156页
文件大小：30MB
文件页数：172页
主题词：集成电路－芯片－制造

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图书目录

第1章概述1

1.1 微电子器件发展历程1

1.1.1 电子管的诞生1

1.1.2 晶体管的诞生2

1.1.3 集成电路时代3

1.2 衬底材料的制备4

1.3 微电子技术发展现状5

参考视频6

第2章衬底材料7

2.1 常用半导体材料7

2.1.1 元素半导体材料7

2.1.2 化合物半导体材料8

2.2 硅单晶制备技术9

2.3 硅中的晶体缺陷10

2.4 硅片制备11

2.4.1 整型处理12

2.4.2 单晶切割12

2.4.3 研磨12

2.4.4 刻蚀和抛光13

2.4.5 清洗14

2.4.6 硅片检查及包装14

2.5 砷化镓晶体生长技术简介14

2.6 质量控制15

2.7 小结16

参考视频16

第3章微电子器件结构17

3.1 微芯片中的电阻器17

3.2 微芯片中的电容器20

3.3 微芯片中的晶体管21

3.3.1 标准双极型工艺二极管22

3.3.2 基于CMOS工艺和BiCMOS工艺的二极管24

3.3.3 标准双极型工艺三极管25

3.3.4 基于CMOS工艺和BiCMOS工艺的三极管26

3.3.5 MOS晶体管26

3.4 小结28

参考视频28

第4章芯片制造工艺29

4.1 双极型工艺29

4.2 CMOS工艺35

4.3 BiCMOS工艺41

4.4 小结42

参考视频43

第5章半导体制造中的沾污控制44

5.1 沾污对器件性能的影响44

5.2 沾污的类型45

5.3 沾污的控制47

5.3.1 环境的控制47

5.3.2 工艺控制50

5.3.3 硅片湿法清洗实例分析56

5.3.4 常用金属材料和器皿的清洗56

5.4 小结57

参考视频58

第6章光刻工艺59

6.1 光致抗蚀剂60

6.2 光学光刻工艺原理61

6.2.1 气相成底膜64

6.2.2 涂胶和前烘65

6.2.3 对准和曝光66

6.2.4 显影和坚膜67

6.3 其他曝光技术简介67

6.4 质量控制71

6.5 小结74

参考视频74

第7章刻蚀工艺75

7.1 刻蚀参数75

7.1.1 刻蚀速率75

7.1.2 刻蚀剖面76

7.1.3 刻蚀偏差76

7.1.4 刻蚀选择比76

7.1.5 刻蚀残留物77

7.2 湿法化学腐蚀77

7.2.1 硅和多晶硅的腐蚀77

7.2.2 二氧化硅的腐蚀78

7.2.3 氮化硅的腐蚀78

7.2.4 铝和铝合金的腐蚀79

7.3 干法化学刻蚀79

7.3.1 刻蚀机理80

7.3.2 等离子体刻蚀系统81

7.3.3 介质干法刻蚀83

7.3.4 硅和多晶硅的干法刻蚀84

7.3.5 金属的干法刻蚀85

7.4 光刻胶的去除86

7.4.1 湿法去胶86

7.4.2 干法去除87

7.5 刻蚀质量控制88

7.6 小结88

参考视频88

第8章掺杂工艺89

8.1 掺杂工艺概述89

8.2 扩散原理及方法90

8.2.1 扩散原理91

8.2.2 扩散方法94

8.3 横向扩散99

8.4 扩散质量控制99

8.5 离子注入工艺原理103

8.5.1 离子注入机104

8.5.2 注入离子在晶格中的运动108

8.5.3 离子注入的杂质分布109

8.5.4 沟道效应110

8.6 注入损伤和退火110

8.7 注入质量控制111

8.8 小结112

参考视频113

第9章薄膜生长工艺114

9.1 二氧化硅膜的制备114

9.1.1 二氧化硅膜的用途114

9.1.2 二氧化硅膜的结构及性质115

9.1.3 高温制备二氧化硅薄膜的方法118

9.1.4 热氧化过程中杂质再分布121

9.1.5 二氧化硅薄膜的质量控制122

9.1.6 化学气相淀积（CVD）制备二氧化硅膜123

9.2 多晶硅（POS）介质膜的制备124

9.3 氮化硅（Si3N4）介质薄膜125

9.4 外延生长技术125

9.4.1 硅气相外延的生长机理126

9.4.2 硅气相外延生长速率128

9.4.3 硅气相外延层中的掺杂129

9.4.4 硅气相外延生长过程中的二级效应129

9.5 氯化氢气相抛光130

9.6 典型硅气相外延工艺131

9.7 外延层质量控制131

9.8 小结131

参考视频132

第10章表面钝化133

10.1 Si-SiO2系统133

10.1.1 Si-SiO2系统中的电荷134

10.1.2 Si-SiO2系统中的电荷对器件性能的影响136

10.1.3 Si-SiO2结构性质的测试分析137

10.2 主要的钝化方法138

10.2.1 集成电路钝化的一般步骤138

10.2.2 掺氯氧化138

10.2.3 磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）钝化139

10.2.4 氮化硅（Si3N4）钝化膜141

10.2.5 氧化铝（Al2 O3）钝化膜142

10.2.6 聚酰亚胺（PI）钝化膜144

10.3 钝化膜质量控制145

10.4 小结145

参考视频145

第11章集成电路芯片生产实例：双极型集成电路芯片的制造146

思考155

参考文献156