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离子注入讲义 离子注入工艺部分 上
  • 北京师范大学物理系 著
  • 出版社： 北京师范大学物理系
  • ISBN：
  • 出版时间：1977
  • 标注页数：103页
  • 文件大小：2MB
  • 文件页数：108页
  • 主题词：

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图书目录

目录1

第一章　绪论1

第一节　半导体离子注入技术简介1

第二节　半导体基础知识简介10

第二章　注入离子在半导体中的射程分布27

第一节　有关射程分布的几个基本概念27

第二节　非晶靶中的射程分布28

第三节　非晶靶中的浓度分布的应用实例39

第四节　理论与实验的比较54

第五节　单晶靶中的射程分布62

第三章　晶？的损伤和退火72

第一节　幅射损伤72

第二节　退火83

第三节　增强扩散效应及其应用109

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