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主要参数符号表1

第一章 半导体中的电子状态5

1.1 半导体的晶格结构和结合性质5

1.2 半导体中的电子状态和能带8

1.3 半导体中电子的运动 有效质量15

1.4 本征半导体的导电机构 空穴18

1.5 回旋共振21

1.6 硅和锗的能带结构24

1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构29

1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构32

习题32

参考资料33

2.1 硅、锗晶体中的杂质能级34

第二章 半导体中杂质和缺陷能级34

2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级41

2.3 缺陷、位错能级45

思考题及习题48

参考资料48

第三章 半导体中载流子的统计分布50

3.1 状态密度50

3.2 费米能级和载流子的统计分布53

3.3 本征半导体的载流子浓度58

3.4 杂质半导体的载流子浓度61

3.5 一般情况下的载流子统计分布70

3.6 简并半导体74

补充材料：电子占据杂质能级的几率78

习题81

参考资料82

4.1 载流子的漂移运动 迁移率84

第四章 半导体的导电性84

4.2 载流子的散射86

4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系93

4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系98

4.5 玻耳兹曼方程 电导率的统计理论100

4.6 强电场下的效应 热载流子105

4.7 多能谷散射 耿氏效应110

习题113

参考资料114

第五章 非平衡载流子116

5.1 非平衡载流子的注入与复合116

5.2 非平衡载流子的寿命117

5.3 准费米能级119

5.4 复合理论120

5.5 陷阱效应132

5.6 载流子的扩散运动134

5.7 载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式137

5.8 连续性方程式139

习题144

参考文献145

第六章 p-n结146

6.1 p-n结及其能带图146

6.2 p-n结电流电压特性152

6.3 p-n结电容162

6.4 p-n结击穿171

6.5 p-n结隧道效应174

习题176

参考资料177

第七章 金属和半导体的接触178

7.1 金属半导体接触及其能级图178

7.2 金属半导体接触整流理论183

7.3 少数载流子的注入和欧姆接触191

习题194

参考资料194

第八章 半导体表面与MIS结构195

8.1 表面态195

8.2 表面电场效应198

8.3 MIS结构的电容-电压特性206

8.4 硅-二氧化硅系统的性质213

8.5 表面电导及迁移率219

8.6 表面电场对p-n结特性的影响221

习题226

参考资料227

9.1 异质结及其能带图228

第九章 异质结228

9.2 异质结的电流输运机构237

9.3 异质结在器件中的应用245

9.4 半导体超晶格247

思考题及习题250

参考资料251

第十章 半导体的光学性质和光电与发光现象253

10.1 半导体的光学常数253

10.2 半导体的光吸收256

10.3 半导体的光电导264

10.4 半导体的光生伏特效应271

10.5 半导体发光273

10.6 半导体激光278

习题283

参考资料284

11.1 热电效应的一般描述286

第十一章 半导体的热电性质286

11.2 半导体的温差电动势率289

11.3 半导体的珀耳帖效应294

11.4 半导体的汤姆孙效应295

11.5 半导体的热导率296

11.6 半导体热电效应的应用298

习题299

参考资料300

第十二章 半导体磁和压阻效应301

12.1 霍耳效应301

12.2 磁阻效应308

12.3 磁光效应312

12.4 量子化霍耳效应316

12.5 热磁效应318

12.6 光磁电效应319

12.7 压阻效应323

12.8 声波和载流子的相互作用330

习题338

参考资料339

第十三章 非晶态半导体340

13.1 非晶态半导体的结构340

13.2 非晶态半导体中的电子态343

13.3 非晶态半导体中的缺陷、隙态与掺杂效应348

13.4 非晶态半导体中的电学性质354

13.5 非晶态半导体中的光学性质359

13.6 α-Si:H的p-n结与金-半接触特性363

参考资料364

附录366

附录1 常用物理常数和能量表达变换表366

附表1-1 常用物理常数表366