图书介绍

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半导体工艺原理 下
  • 成都电讯工程学院，刘国维，谢孟贤 著
  • 出版社： 北京：国防工业出版社
  • ISBN：15034·2016
  • 出版时间：1980
  • 标注页数：159页
  • 文件大小：8MB
  • 文件页数：164页
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图书目录

目录1

第六章 外延1

§6-1 四氯化硅氢还原法外延生长原理1

§6-2 四氯化硅氢还原法外延生长条件5

§6-3 外延层中杂质浓度的分布8

§6-4 硅烷热分解法外延技术简介14

§6-5 外延层中的缺陷18

§6-6 外延层的检测22

第七章 光刻32

§7-1 光刻胶（光致抗蚀剂）33

§7-2 光刻工艺35

§7-3 光刻中的常见问题40

§7-4 提高光刻技术的-些措施42

第八章 电极系统55

§8-1 金属-半导体接触55

§8-2 欧姆接触60

§8-3 金属电极材料62

§8-4 金属电极系统的失效机理64

§8-5 GaAs的欧姆接触74

第九章 表面钝化技术78

§9-1 硅-二氧化硅界面特性及其对器件性能的影响78

§9-2 MOS C-V分析88

§9-3 低温钝化（LTP）技术103

§9-4 磷硅玻璃（P2O5·SiO2）钝化107

§9-5 氮化硅钝化111

§9-6 三氧化二铝钝化119

§9-7 化学钝化125

§9-8 氮氢烘焙129

第十章 半导体器件的可靠性131

§10-1 可靠性基础知识131

§10-2 器件的失效规律和常用的寿命分布137

§10-3 可靠性试验143

§10-4 失效机理147

§10-5 提高器件可靠性的措施154

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