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一、概述1

1—1 半导体器件制造工艺的发展简史1

1—2 半导体器件制造工艺原理3

二、硅外延工艺7

2—1 基本原理8

2—2 设备10

2—3 工艺条件13

2—4 硅外延层的参数及其检验18

2—5 生长硅外延层的其它方法24

2—6 气相生长法一些应用26

三、砷化镓外延工艺26

3—1 砷化镓汽相外延27

3—2 砷化镓液相外延36

3—3 砷化镓外延工艺中的几个问题40

四、氧化工艺44

4—1 湿氧氧化法45

4—2 低温热解有机氧硅烷淀积二氧化硅法47

4—3 二氧化硅膜厚度的测量48

五、扩散工艺50

5—1 扩散的一些主要方法50

5—2 扩散中控制的主要参数53

5—3 扩散结果的测量55

5—4 扩散法与其他方法的比较60

六、隔离工艺60

6—1 P—N结隔离技术61

6—2 介质隔离技术69

6—3 空气隔离技术73

七、制版工艺79

7—1 图形设计和电路图形的布局79

7—2 原图的制做82

7—3 一次缩小和步进重复照相83

7—4 光刻掩模的复制99

7—5 感光材料101

7—6 新技术110

7—7 显影液、定影液和化学药品简介116

八、光刻工艺121

8—1 光敏抗蚀剂125

8—2 光刻的一般工艺过程126

8—3 投影曝光和电子束曝光简介129

九、蒸发工艺131

9—1 蒸发工艺的一般概念131

9—2 蒸发方法133

9—3 蒸发设备及工艺（电阻加热）136

十、溅射工艺141

10—1 溅射的一般概念141

10—2 溅射方法142

10—3 等离子溅射的设备及工艺147

十一、装架工艺151

11—1 特性测试151

11—2 管芯片割裂154

11—3 欧姆接触烧制155

11—4 引线键合157

十二、封装工艺161

12—1 金属封装工艺161

12—2 塑料封装工艺163

十三、器件测试170

13—1 晶体管基本电参数的测试170

13—2 晶体管特殊参数的测试179

14—1 产品质量的重要性190

十四、质量检验190

14—2 质量检验的基础知识191

14—3 试验方法203

十五、附录222

附录一 锗、硅和砷化镓的主要物理性能222

附录二 一些常用的金属和合金的主要物理性能223

附录三 在锗、硅和砷化镓中杂质的分凝系数224

附录四 热电偶种类及使用的温度范围225

附录五 常用物理常数225